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潔凈室最主要的功能是提供生活和生產(chǎn)所需的健康環(huán)境，營造出滿足照明度、溫濕度、噪聲、氣流、壓力、靜電和微振動等健康指標的環(huán)境，使相關的服務和產(chǎn)品能夠滿足人們對健康環(huán)境的需求，提供良好的、可控的空間環(huán)境，從而有效地提升產(chǎn)品的合格率，全面提升和改善相關服務質量的目標。

因此，潔凈室中要控制的因素很多，下面就來總結潔凈始終溫濕度、氣壓、氣流速度的主要要點。

潔凈室中的溫濕度控制

潔凈空間的溫濕度主要是根據(jù)工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現(xiàn)了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。

凈化工程具體工藝對溫度的要求以后還要列舉，但作為總的原則看，由于加工精度越來越精細，所以對溫度波動范圍的要求越來越小。例如在大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數(shù)的差要求越來越小。直徑100um的硅片，溫度上升1度，就引起了0.24um線性膨脹，所以必須有±0.1度的恒溫，同時要求濕度值一般較低，因為人出汗以后，對產(chǎn)品將有污染，特別是怕鈉的半導體車間，這種車間不宜超過25度。

濕度過高產(chǎn)生的問題更多。相對濕度超過55%時，冷卻水管壁上會結露，如果發(fā)生在精密裝置或電路中，就會引起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。此外，濕度太高時將通過空氣中的水分子把硅片表面粘著的灰塵化學吸附在表面耐難以清除。相對濕度越高,粘附的難去掉，但當相對濕度低于30%時，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時大量半導體器件容易發(fā)生擊穿。對于硅片生產(chǎn)最佳溫度范圍為35—45%。

潔凈室中的氣壓規(guī)定

對于大部分潔凈空間，為了防止外界污染侵入，需要保持內(nèi)部的壓力（靜壓）高于外部的壓力（靜壓）。壓力差的維持一般應符合以下原則：

（1）潔凈空間的壓力要高于非潔凈空間的壓力。

（2）潔凈度級別高的空間的壓力要高于相鄰的潔凈度級別低的空間的壓力。

（3）相通潔凈室之間的門要開向潔凈度級別高的房間。

壓力差的維持依靠新風量，這個新風量要能補償在這一壓力差下從縫隙漏泄掉的風量。所以壓力差的物理意義就是漏泄（或滲透）風量通過潔凈室的各種縫隙時的阻力。

潔凈室中的氣流速度規(guī)定

這里要討論的氣流速度是指潔凈室內(nèi)的氣流速度，在其他潔凈空間中的氣流速度在討論具體設備時再說明。

對于亂流潔凈室由于主主要靠空氣的稀釋作用來減輕室內(nèi)污染的程度，所以主要用換氣次數(shù)這一概念，而不直接用速度的概念，不過對室內(nèi)氣流速度也有如下要求；

（1）送風口出口氣流速度不宜太大，和單純空調房間相比，要求速度衰減更快，擴散角度更大。

（2）吹過水平面的氣流速度（例如側送時回流速度）不宜太大，以免吹起表面微粒重返氣流，而造成再污染，這一速度一般不宜大干0.2m/s。

對于平行流潔凈室(習慣上稱層流潔凈室），由于主要靠氣流的“活塞打擠壓作用排除行染，所以截面上的速度就是非常重要的指標。過去都參考美國20gB標準，采用0.45m/s．但人們也都了解到這樣大速度所需要的通風量是極大的，為了節(jié)能，也都在探求降低速一風速的可行性。

在我國，《空氣潔凈技術措施》和<潔凈廠房設計規(guī)范））都是這樣規(guī)定的：

（1）垂直平行流（層流）潔凈室≥0.25m/s

（2）水平平行流（層流）潔凈室≥0.35m/s